基于芳香族酰亚胺的热激延迟荧光材料AI-Cz和Al-TBCz,可应用于有机发光二极管()
作者:NG体育 发布时间:2022-08-12 09:36:30
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一种基于芳香族酰亚胺的热激延迟荧光材料应用于**有机发光二极管,芳香族酰亚胺具有**的光电性能和很强的吸电能力,
通过进一步优化设计具有供体-受体-供体结构的新型和**的TADF分子结构,获得的芳族酰亚胺显示出高的PLQY,
它们的瞬态PL光谱具有明显的温度依赖性延迟性能,掺杂AI-Cz和Al-TBCz的OLED的性能突出,EQE分别高达23.2%和21.1%。
图1:芳香酰亚胺AI-Cz和AI-TBCz的化学结构
AI-Cz和AI-TBCz的HOMO主要位于咔唑基部分,因为它们具有强的给电能力,并且LUMO由于其强吸电子性质而位于芳族酰亚胺部分上;这种清晰的空间电子分离可以**地破坏电荷转移激发态的电子跃迁。
图2:AI-Cz及其二聚体的晶体结构
相对于芳族酰亚胺部分,两个咔唑基彼此相邻,AI-Cz具有大的二面角。扭曲结构可以诱导HOMO和LUMO的电荷分离,并且还**地防止由分子间堆积引起的固态荧光猝灭。
图3:能量密度的计算空间分布
在氧化曲线开始和还原曲线开始的基础上,AI-Cz的HOMO和LUMO能级分别为-5.63和-3.55eV。同样的,AI-TBCz的HOMO和LUMO能级分别为-5.59和-3.42eV。AI-Cz和AI-TBCz的良好耐热性能对于器件中膜的高形态稳定性是必不可少的,其**的电化学性能也有利于器件性能的提高。
图4:AI-Cz和AI-TBCz的吸收和荧光光谱以及它们在77K下的荧光和磷光谱图
在其荧光光谱中也观察到在约455nm和465nm处的AI-Cz和AI-TBCz的短峰值波长,这可能归因于显示扭曲的分子内电荷转移的分子的局部激发态。 此外,发现AI-Cz和AI-TBCz的磷光带位于498和505nm,其相应的T1能级分别为2.49和2.46eV。
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TADF分子Cz-TRZ1-4
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TADF分子BP-PXZ
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小编zhn2022.01.20