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可以对各种材质的荧光量子点进行修饰和改性以及偶联和特殊定制，我们可以做各种聚合物修饰，多糖修饰，蛋白修饰以及复合类产品的量子点复杂定制。 双硫腙包覆CdTe碲化镉量子点的的描述： CdTe量子点表面包覆双硫腙,由于双硫腙与CdTe量子点之间发生荧光共振能量转移使得CdTe量子点荧光猝灭,铜的加入与双硫腙形成双齿螯合物,使得CdTe量子点荧光能量转移被阻止,CdTe量子点荧光强度得以恢复,由此建立了一种荧光开关测定痕量铜的新方法,0.5mL双硫腙@CdTe量子点(Dit@CdTe),1.5mLpH7.5的Tris-HCl缓冲溶液中加入不同浓度的Cu2+,放置10min,于激发波长/发射波长为431nm/591nm下进行荧光测定,荧光增强强度与Cu2浓度在0.01～10.0μmol/L范围内呈良好线性关系,相关系数为0.9903,检出限为0.004μmol/L.方法用于实际水样中铜的测定,相对标准偏差小于6.8%,回收率在97%～105%之间,并且测定结果与电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定结果一致.  双硫腙包覆CdTe碲化镉量子点的制备方法 取上述制备好的CdTe量子点0.1mL,加人25mL0.01mol/LNaOH溶液和1mL2mmol/L双硫腙(Dit)溶液,室温下振荡24h,反应后12000r/min离心10min,去掉上清液,洗涤3次，得到双硫腙包覆的CdTe量子点(Dit@CdTe)。 图1和图2分别为所合成的CdTe量子点及Dit@CdTe在Tris-HCl缓冲液中的发射光谱和吸收光谱。图1中曲线a是CdTe纳米粒子的荧光发射光谱,大荧光发射峰在591nm处;曲线b是Dit@CdTe的荧光发射光谱,然而由于CdTe发射光谱与CdTe-双硫腙复合物的吸收光谱重叠,导致CdTe量子点发生荧光共振能量转移，CdTe荧光发生猝灭。 为了评价上述方法对Cu2+的检测性能,不同浓度Cu2+加人到Dit@CdTe探针中,在佳条件下进行测定,随着Cu2+的加人荧光强度增强(图5),且荧光增强强度与Cu2+浓度在0.01~10.0μmol/L范围内呈良好线性关系,线性回归方程为OI=2.57+51.37c(μmol/L),相关系数为0.9903。通过对5.0μmol/LCu2+的检测,计算得相对标准偏差为4.8%;根据IUPAC规定,计算出检出限为0.004μmol/L。 中文名称：双硫腙功能化CdTe碲化镉量子点 英文名称：双硫腙@CdTe量子点 简称：Dit@CdTe 其它别称：CdTe量子点-双硫腙 纯度：98% 包装：mg级和g级 货期：一周 地址：西安 厂家： 点击管网连接http://www.qiyuebio.com/product/86954即可查看此产品基本信息 以上资料来自小编axc,2022.03.15 以上文中提到的产品仅用于科研，不能用于人体。