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光电材料|缺陷丰富的二维网状二硫化钼单分子层:简单的水热制备和出色的光电性能

作者: 发布时间:2022-08-08 09:54:14 次浏览

在MoS2单分子层中添加缺陷可以激活惰性基面并产生活性位点,从而改善MoS2单分子层的电子和光电性能。以表面活性剂黄原酸乙酯(C2H5OC(=S)SNa)为硫源,通过常规水热法制备了具有二维网状结构的富缺陷MoS2单分子层。 XRD、Raman光谱和FESEM/EDS分析结果表明,所制备的MoS2是一种富mo缺s的非晶态材料。HRTEM推断,MoS2可能主要由单层组成,延伸至(100)平面。 AFM清楚地显示MoS2纳米片以富含缺陷的2D网状单层存在,厚度约为0.62 nm。XPS进一步证实Mo和S有丰富的空缺。 富含缺陷的二维网状MoS2具有良好的析氢活性,Tafel斜率为58.4 mV/dec,析氢电位为235 mV,电荷转移电阻为4.99 Ω,双层电容为19.63 mF/cm2。 通过产生**分离的光电子和空穴,实现了极佳的光电转换。在可见光照射10 h的条件下,1 g MoS2光催化黄药己基的降解量达到~ 3400 mg。 更多推存 是国内光电材料,纳米材料,聚合物;化学试剂供应商;**于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料(聚集诱导发光材料)和发光探针(磷脂探针和酶探针)、碳量子点、金属纳米簇;嵌段共聚物等一系列产品。sjl2022/02/21
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