产品名称
中文名称: Graphenea石墨烯场效应晶体管芯片S31
英文名称:Graphene Field-Effect Transistor chip S31
性质
芯片尺寸:10mm x10mm
芯片厚度 :525μm
每个芯片的GFET数量:30
栅氧化层厚度(EOT):20nm
栅极氧化物材料:Al2O3
Dirac点:<5 V
良率 :>75%
石墨烯场效应迁移率:>600cm2/V.S
应用
石墨烯器件研究,化学传感器,生物传感器,生物电子学,磁传感器,光电探测器。
其他信息
原链接:https://eu.graphenea.com/collections/buy-gfet-models-for-sensing-applications/products/gfet-s31-for-sensing-applications?variant=41684756988093
常温干燥避光密封保存。最长保存期限6月。