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六方氮化硼(H-BN，BN2A1)       六方氮化硼是一种直接禁带宽度为5.9eV的半导体材料，被广泛用于制备各种类型的二维半导体(如WSe2、MoSe2等)组成的超高迁移率2D异质结构。这些层是通过范德华尔斯相互作用叠加在一起的，可以剥离成二维薄层，直到单层H-BN。欲购买六角氮化硼晶体，请点击此处。 晶体尺寸: ~1mm 电学性能: 绝缘体/半导体 晶体结构:六角形 单位单元参数: a = b = 0.2502 nm, c = 0.6617 nm, α = β = 90°, γ = 120° 纯度: Grade A 价格：10000元/盒 http://hqgraphene.com/h-BN.php