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中文名称: 机械剥离氧化硅/氧化硅基底二硒化钨 英文名称：Mechanical exfoliation WSe2 on SiO2/Si   性质 形态：薄膜 参数 基底：氧化硅/硅 基底尺寸：10 mmx10 mm 氧化层：300nm 单个WSe2面积: ≥10 µm2 备注:大于等于1片样品是单层 应用 本公司最新推出机械剥离制备的二硒化钨，该类材料具有缺陷少，优异的光学性质，可以研究层数和荧光效应，此外，由于保持了原有晶格结构，所以该类材料是制备器件的理想材料。