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g-C3N4的结构与制备：
C3N4共有5种结构，它们分别是α相、β相、立方相、准立方相和类石墨相。其中类石墨相(g-C3N4)的结构是最稳定的，它具有类似石墨的层状结构，且包含了两种同素异形体。这两种同素异形体由于含氮孔的位置不同，导致了稳定性也有所不同，通过密度泛函理论(DFT)计算发现图b中3-s-三嗪为结构单元连接而成的g-C3N4稳定性最好，因此，近年来研究中使用的g-C3N4都是图b中这种结构。
在自然界中, 至今还未发现存在天然的g-C3N4晶体。因此g-C3N4现主要来自于实验合成。选取合适的碳源和氮源，在一定的反应条件下可以得到g-C3N4。目前常用的制备方法主要有：高温高压合成法，物理、化学气相沉积法，电化学沉积法，溶剂热聚合法，热解有机物法等待。其中热聚合法可以方便地通过加入其他物质或改变反应条件来调节g-C3N4的结构, 从而提高g-C3N4的光催化性能，是目前g-C3N4研究中最常用的合成方法。
硫化镉修饰类石墨相氮化碳复合材料
纳米级石墨相氮化碳光催化剂
铈掺杂石墨相氮化碳
镍掺杂石墨相氮化碳
磷掺杂的介孔石墨类氮化碳(P-mpg-C3N4)
单层石墨相氮化碳纳米片（NMGCNs）
介孔石墨相氮化碳
钠掺杂石墨相氮化碳
海藻酸钠修饰石墨相氮化碳纳米片
Au/g-C3N4金属/氮化碳复合材料
石墨烯量子点/TiO2纳米线复合材料
金纳米线修饰的二氧化钛纳米柱阵列SERS基底材料
Au,CdS纳米粒子修饰TiO2纳米线
Au纳米粒子修饰TiO2纳米线
CdS纳米粒子修饰TiO2纳米线
聚合物半导体石墨相氮化碳(g-C3N4),
碘掺杂改性石墨相氮化碳
荧光氮化碳量子点(g-C3 N4 QDs)
三元金属硫化物-石墨相氮化碳
石墨相氮化碳纳米管(CN-NTs)光催化剂
介孔石墨相氮化碳(CND-SBA15)
血红蛋白(Hb)修饰TiO2纳米线
壳聚糖(CTS)修饰TiO2纳米线
Ag2O纳米线修饰的TiO2纳米管
异质型CuO@TiO2纳米线膜
介孔TiO2/石墨烯修饰的TiO2纳米线
银和石墨烯共修饰TiO2纳米线
硫化钒修饰二氧化钛纳米线阵列
锡掺杂TiO2纳米线阵列
FTO基底上TiO2纳米线阵列
TiO2修饰Si/Fe2O3纳米线阵列
纳米颗粒修饰枝节状二氧化钛纳米线